亭辉点评：

这台 POWER-750H 高能氢离子注入机成功出束，听着像是一条普通的科技新闻，但对中国半导体产业来说，意义可不小。它不仅是 “能做出来”，而是核心指标达到国际先进水平，意味着我们在一个长期被国外垄断的关键装备上，终于站稳了脚跟。

离子注入机和光刻机、刻蚀机一样，都是芯片制造里绕不开的 “硬核装备”。过去高能氢离子注入机基本靠进口，别人卖不卖、卖多少、卖什么版本，都由不得我们。这种被动局面，让功率半导体等关键产业的升级一直有点 “卡喉咙”。现在我们自己能造了，而且是从底层原理到整机集成的正向设计，这就不是简单的仿制，而是真正掌握了技术命脉。

这次突破最让人佩服的是，它不是 “临时抱佛脚”，而是原子能院几十年在加速器领域的厚积薄发。把核物理的长板用到半导体装备上，这种跨界创新的思路，其实给很多 “卡脖子” 领域提供了一个很好的范本：不是所有短板都要从零开始，用已有优势去攻难点，往往能更快打开局面。

更现实的影响是，这台注入机将直接提升我国功率半导体的自主保障能力。新能源汽车、储能、工业控制这些领域都离不开功率器件，设备自主化后，产业链的安全感会明显提升。同时，它也为 “双碳” 目标和新质生产力提供了实打实的技术支撑。

总的来说，这是一次值得鼓掌的突破，但也只是开始。高端装备的竞争是长跑，希望这样的好消息以后能越来越多，让 “自主可控” 从口号变成常态。

新闻回顾：

记者17日从中核集团中国原子能科学研究院获悉，由该院自主研制的我国首台串列型高能氢离子注入机（POWER-750H）成功出束，核心指标达到国际先进水平。这标志着我国已全面掌握串列型高能氢离子注入机的全链路研发技术，攻克了功率半导体制造链中的关键环节，为推动高端制造装备自主可控、保障产业链安全奠定坚实基础。

离子注入机与光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备并称为芯片制造“四大核心装备”，是半导体制造不可或缺的“刚需”设备。长期以来，我国高能氢离子注入机完全依赖国外进口，其研发难度大、技术壁垒高，是制约我国关键技术产业升级发展的瓶颈之一。

中国原子能科学研究院依托在核物理加速器领域数十年的深厚积累，以串列加速器技术作为核心手段，破解一系列难题，完全掌握了串列型高能氢离子注入机从底层原理到整机集成的正向设计能力，打破了国外企业在该领域的技术封锁和长期垄断，将有力提升我国在功率半导体等关键领域的自主保障能力，更为助力“双碳”目标实现、加快发展新质生产力提供强有力技术支撑。

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